虽然是高通目前的旗舰处理器,不过骁龙810因为发热问题可谓饱受诟病,而在这种情况之下,高通下一代旗舰处理器骁龙820也更加令人关注。而根据之前的消息,骁龙820将采用三星14nm FinFET制程工艺,来实现功耗发热和性能之间的平衡。
目前三星14nm FinFET制程已经比较成熟,并且已经应用在了Exynos 7420处理器中。但根据最新的消息,虽然高通一开始计划使用三星14nm FinFET制程工艺来制造骁龙820,但可能最终还会推出另一个采用10nm FinFET制程的版本。今年年初三星曾宣布10nm FinFET制程工艺的相关参数已经确定,并将于今年年底开始试产,大规模量产则要等到明年年底。而考虑到骁龙820将会在今年年底至明年年初进入大规模生产阶段,因此采用10nm FinFET制程工艺并不是没有可能。
不过值得一提的是14nm FinFET和10nm FinFET的工艺分别使用的是LPE和LPP版本,分别代表Low Power Early和Laser-Produced Plasma。其中LPE为早期版本,功耗和封装面积都有进步,但相对不成熟,而LPP则是的升级版,性能更加出色。由于三星14nm FinFET工艺已经成熟,而10nm FinFET工艺还有待进步,因此采用14nm FinFET LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比较合理。
而高通方面并没有透露多少关于的详细信息,只是宣布骁龙820将采用非平面FinFET工艺,从目前的市场情况来看,三星14nm和10nm制程工艺以及台积电16nm制程工艺均属于此范围。
除了CPU部分之外,骁龙820还将搭载性能更强的Adreno 530 GPU以及一颗全新的DSP,并且整个反恶意软件功能。
苹果在A9处理器也上采用了台积电16nm和三星14nm两种制程工艺,引起了不小的风波,而如果高通推出两个版本的骁龙820的话,或许也会面临相当大的舆论压力。而且如果发热问题仍然不能得到很好的解决的话,骁龙820的市场处境不但不会有所改观,甚至情况还会更糟,这对手机厂商和高通来说都不是什么好事。
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