此前传出三星GALAXY S7已经开始测试的消息,并且有望再次重启双处理器平台策略,至于其他可能装载的新技术则没有更多的消息。而现在,根据网友@i冰宇宙在微博上披露的消息称,UFS2.1将在今年下半年量产,预计三星GALAXY S7将会首先搭载这项新技术,并且明年的三星智能手机将全面引入Type-C以及USB PD标准,这意味着未来的GALAXY S7将拥有更快的充电速度。
支持UFS2.1标准
按照网友@i冰宇宙在微博上的说法,2016年UFS2.0和emmc 5.1将在旗舰机型中得到普及,但三星GALAXY S7在闪存技术方面应该依然会快人一步。由于UFS2.1标准的闪存将在今年下半年量产,因此预计将会首先使用到三星GALAXY S7上。
不过,目前还没有UFS2.1标准闪存技术的更多信息被曝光,但相信应该比现在应用到三星GALAXY S6等机型的UFS2.0标准的闪存技术拥有更快的速度和更低的功耗,而这也意味着未来的GALAXY S7将会带来更出色的性能表现和更快的手机读取速度。
充电速度更快
同时针对当前三星GALAXY系列旗舰机型尚未引入Type-C的状况,在未来的三星GALAXY S7则会得到改进,并且还将支持全新USB PD标准,这不仅意味着该机的USB连接线将具备正反两面皆可随意插入的特色,而且将带来更快的充电速度,甚至还能够兼容其他数码设备。
除此之外,@i冰宇宙还在微博中提到,年底的时候三星5.2英寸4K显示屏将会量产,因此在索尼已经率先发布4K显示屏智能手机的情况下,三星GALAXY S7很有可能会装载这块5.2英寸4K分辨率Super AMOLED触控屏,这也与此前的传闻比较吻合。
MWC2016发布
而根据此前泄露的信息显示,三星GALAXY S7的内部开发代号为“Jungfrau”,不仅将会采用Ultra HD 4K显示屏,而且随着三星全新1600万像素CMOS传感器的推出,或许意味着该机还将在摄像头方面得到升级,并借助该传感器非常纤薄的特色,有望改善摄像头凸起的状况。
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